другие механизмы, в том числе и механизм блочного роста, к которому пришли многие русские ученые еще в начале этого столетия. Совершенно исключены они из рассмотрения А. А. Черновым [127].

В этой связи особого внимания заслуживает работа Е. С. Федорова [113], в которой он подчеркивал, что детальное исследование поверхности граней природных кристаллов практически всегда позволяет обнаружить их блочное строение, что нашло отражение в введении для обозначения этого явления термина полиэдрия, предложенного Скакки. Базируясь на результатах опытов Майерса по гониометрическому наблюдению за поверхностью грани растущего кристалла, обнаружившего, что рост идет не непрерывно, а скачками, и на своих наблюдениях, Е. С. Федоров писал: «О чем же свидетельствуют приведенный опыт Майерса и другие наблюдения?.

Во-первых, о полной невозможности представить себе процесс кристаллизации в виде более или менее непрерывного выскакивания из раствора отдельных кристаллических частичек и укладывания их к существующему уже кристаллическому строению в строго параллельном положении.

Во-вторых, можно считать доказанным, что от времени до времени начавшаяся кристаллизация быстро созидает целые пластинки из строго параллельно расположенных частичек, пластинки, сразу же ложащиеся на всю грань или значительные части ее площади, и что эти пластинки, конечно, состоят не из одного, а из очень многих слоев частичек» [113, с. 1477].

Г. Г. Леммлейн [64] показал, что некоторые кристаллы в природе образуются в результате слипания (срастания) отдельных более мелких индивидов. Позже возможность этого процесса экспериментально была подтверждена М. П. Шаскольской и А. В. Шубниковым [136], наблюдавшими ориентированное (в двойниковом положении) прилипание мелких октаэдров квасцов, сыпавшихся в насыщенном растворе на грани более крупного кристалла.

В этой связи уместно привести представления А. В. Шубникова [140], который писал, что мы представляем себе сильно пересыщенный лабильный раствор, в котором началось выделение кристаллов, как совокупность беспорядочно движущихся частиц (молекул, ионов) и кристаллических зародышей (субмикронов) в виде одномерных, двумерных и трехмерных кристалликов разной формы и величины; одни зародыши растут, другие растворяются, но рост преобладает. Последний происходит путем присоединения к кристаллу отдельных «молекул» или слипания зародышей, главным образом двумерных или пластинчатых трехмерных, образовавшихся из двумерных.

Анализируя свои опыты по ориентированному прирастанию мелких кристалликов квасцов к граням более крупного кристалла, А. В. Шубников [140] писал: «Степень совершенства кристалла определяется всецело величиной тех агрегатов молекул, из которых состоит реальный кристалл». Он считал, поскольку «молекулярные агрегаты», прилипающие к грани АВ могут хотя бы незначительно отличаться друг от друга по своим размерам, то как бы плотно ни стремились они расположиться на грани АВ, сохраняя параллельность друг другу, все же без промежутков им не удастся покрыть плоскость АВ даже в первом слое. В следующих слоях по той же причине, кроме пустот, будет наблюдаться непаралдельность расположения агрегатов — отсюда появление дефектов и возможность расщепления кристаллов при дальнейшем росте, образования