б). Пример таких включений — тонкие нити рутила в сапфире и рубине, образующие углы, равные 60°, и идущие параллельно граням призмы (фото 4, в). Прежде их присутствие считалось надежным доказательством того, что камень не синтетический. Однако в последнее время в ФРГ и США были синтезированы звездчатые рубины и звездчатые сапфиры; рутиловые нити выделяются из раствора, если титансодержащие бульки, приготовленные методом Вернейля, выдерживать в течение нескольких часов в окислительной атмосфере при температуре 1100—1500° С. Включения могут состоять из жидкости или газа, занимающих внутренние полости во вмещающем кристалле. Эти полости иногда Ограничены плоскими гранями, образующими «отрицательные кристаллы», но чаще они имеют неправильную форму, нередко в высшей степени неправильную. Состав жидкости определить Нелегко, но это могут быть вода, двуокись углерода или остаток первоначального материнского раствора, из которого выделился вмещающий кристалл. Изредка встречаются две несмешивающиеся жидкости. Газовые включения могут образовывать пузырьки в жидкости; может также присутствовать и третья фаза — -Твердые кристаллические включения. Такие трехфазные включения встречаются обычно в изумрудах из определенных месторождений (фото 4, г); кристаллы твердой фазы могут выглядеть прямоугольными или ромбическими в зависимости от угла зрения. Газовые включения чаСтО встречаются в природных стеклах и в синтетических камнях. У воздушных пузырьков — сферических или удлиненных — в результате полного внутреннего отражения бывают очень широкие черные края, или же эти пузырьки кажутся совершенно черными; в кристаллическом материале (фото 5, б) они, несомненно, указывают на искусственное происхождение.

Растущий кристалл в нормальных условиях ограничен плоски-иг кристаллическими гранями; поступление материала слегка измененного состава или кратковременное замедление роста могут привести к появлению зональной структуры, обусловленной наличием зон, слабо отличающихся по цвету, или зон включений. Под микроскопом они видны как системы прямых параллельных борозд, часто расположенных под острым углом к другим системам (фото 5, а). Однако при синтезе по методу Вернейля рост бульки осуществляется путем нарастания новых слоев на искривленную верхнюю поверхность; при этом никаких плоских кристаллических граней не образуется. Поэтому кристаллы синтетического корунда часто можно отличить по присутствию искривленных борозд (фото 5, б), но подобные бороздки не всегда можно увидеть у шпинели, синтезированной таким же способом.

В твердых включениях может быть представлен материал, образование которого предшествовало росту вмещающего кристалла (это наиболее вероятно, если включения присутствуют в разорванном или нарушенном виде) или происходило одновременно с образованием этого кристалла. Большинство эвгедральных кристаллических включений, как и многие жидкие и газообразные включения, относятся, вероятно, к этой стадии. Так, среди эвгедральных включений, встречающихся в алмазе, включения пиропа, энстатита, хромдиопсида, магнетита, ильменита, циркона, как и включения самого алмаза, по-видимому, генетически связаны с вмещающим кристаллом. Однако ряд включений связан уже с ростом кристалла и представляет собой результат распада твердого раствора, химического изменения или перекристаллизации. Так образуются включения в виде «перьев» и «занавесей», которые представляют собой узкие полости или спайные трещины в кристалле, заполненные воздухом, жидкостью или сформировавшимся впоследствии кристаллическим материалом.

Включения, образовавшиеся